Pesquisadores da IBM anunciaram um marco no desenvolvimento do design de
transistores de alta velocidade com a criação de um chip com frequência de
100GHz.
O transistor criado pelos pesquisadores é relativamente grande, com uma
'porta' de 240 nanômetros, e a velocidade deve aumentar conforme o tamanho da
porta for diminuindo.
O transistor desenvolvido pela IBM explora as propriedades de uma folha de
átomos de carbono com espessura de um átomo criada em um substrato de silício.
Esta folha extremamente fina, chamada
grafeno, tem uma estrutura hexagonal,
lembrando favos de mel:
Estrutura hexagonal do grafeno
O grafeno já é conhecido há muito tempo por ter uma mobilidade
de elétrons excepcional, mas é resistente à criação de 'band gaps', zonas livres
de elétrons necessárias para que os transistores funcionem como switches
'ligar/desligar'. Entre os marcos da equipe de pesquisadores da IBM está a
criação destes 'band gaps' no transistor baseado em grafeno.
Em uma
nota oficial da IBM Research, o Dr. T.C.
Chen disse: "Uma das principais vantagens do grafeno está nas altas
velocidades com que os elétrons se propagam, o que é essencial para a criação da
próxima geração de transistores de alta performance e alta velocidade. Este
marco que anunciamos demonstra claramente que o grafeno pode ser usado para a
produção de dispositivos de alta performance e circuitos integrados".
De acordo com a pesquisa da IBM, a chave para isso está no que a
empresa chama de "camada de polímero interfacial", que separa a folha de grafeno
do restante do conjunto.
De acordo com a IBM, o transistor de grafeno foi capaz de
atingir 100GHz com a sala em sua temperatura normal. Com uma temperatura mais
baixa, os pesquisadores acreditam que podem atingir uma performance ainda maior.
Arte conceitual do transitor criado pelos pesquisadores
